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EnglishThe local Zn/Se relative concentration at the interface in ZnSe-GaAs(001) heterostructures synthesized by molecular beam epitaxy was found to be controlled by the Zn/Se flux ratio employed during the early growth stage of ZnSe on GaAs. Correspondingly, the valence band discontinuity varies from 1.20 eV (Zn-rich interface) to 0.58 eV (Se-rich interface). Comparison with the results of first-principles calculations suggests that the observed trend in band offsets is related to the establishment of neutral interfaces with different atomic configurations.
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http://hdl.handle.net/20.500.11767/14853| Titolo: | LOCAL INTERFACE COMPOSITION AND BAND DISCONTINUITIES IN HETEROVALENT HETEROSTRUCTURES |
| Autori: | NICOLINI R; VANZETTI L; MULA G; BRATINA G; SORBA L; FRANCIOSI A; PERESSI M; BARONI S; RESTA R; BALDERESCHI A; ANGELO JE; GERBERICH WW |
| Rivista: | |
| Data di pubblicazione: | 1994 |
| Volume: | 72 |
| Fascicolo: | 2 |
| Pagina iniziale: | 294 |
| Pagina finale: | 297 |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1103/PhysRevLett.72.294 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Journal article |
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